Atributos del producto
| TIPO | DESCRIPCIÓN | SELECCIONAR |
|---|---|---|
| Categoría | Productos semiconductores discretosTransistoresFET, MOSFETFET simple, MOSFET | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Paquete | Cinta y rollo (TR)Cinta cortada (CT)Digi-Reel® | |
| Estado del producto | Activo | |
| Tipo FET | Canal N | |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 5.2 A (Ta) | |
| Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
| Rds On (máx) @ Id, Vgs | 1.22Ohm a 2.6A, 10V | |
| Vgs(th) (máx) a Id | 3.5V a 170µA | |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
| Vgs (máx.) | ±30V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 380 pF @ 300 V | |
| Característica de FET | - | |
| Disipación de potencia (Máx.) | 60W (Tc) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C | |
| Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Paquete / Caja (carcasa) | TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 |
Fuente de Poder Play Station 4 slim
Número de Modelo : N15-160P1A
Mosfet Q801 TK5P65W
