Irf3205, 98a, 55v, 150w,transistor Mosfet Canal N Pack De 5

Categoría Productos semiconductores discretosFET simple, MOSFET Fabricante : Infineon Technologies Serie : HEXFET® Tipo : FET Canal N Tecnología : MOSFET (óxido de metal) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) : 55 V Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC : 110 A (Tc) Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) : 10V Rds On (máx) @ Id, Vgs 8mOhm a: 62A, 10V Vgs(th) (máx) a Id : 4V a 250µA Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs : 146 nC @ 10 V Vgs (máx.): ±20V Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3247 pF @ 25 V Característica de FET - Disipación de potencia (Máx.) : 200W (Tc) Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Orificio pasante Paquete del dispositivo del proveedor: TO-220AB Paquete / Caja (carcasa) : TO-220-3 Número de producto base : IRF3205 Transistor Mosfet IRF3205, 110A, 55V, 150W, Canal N El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con un rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet. Los mosfet de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones. Tecnología avanzada de procesos Ultra bajo en resistencia Valor dinámico dV / dt 150 °C Temperatura de funcionamiento Aplicaciones: Administración de potencia Información Básica: Polaridad : Canal N Voltaje drenaje-fuente Vds: 55 V Voltaje Vgs de medición Rds(on): 10V Voltaje Umbral Vgs: 2.1 V Corriente drenador continua Id: 110A. Disipación de potencia Pd: 150 W Resistencia de activación Rds(on): 0.008 Ohm Temperatura de operación máxima: 150 °C Encapsulado: TO-220 Número de Pines: 3 Reemplazo : IRFZ46, IRFZ48, 50N06 S.o.m.o.sWWW.electrocars.clv.i.s.í.t.a.n.o.s